オーミック電極とショットキー電極 – SiCショットキーダイオードの製造方法

金属と半導体の接触では、ショットキー障壁と表裏一体の関係にあるのがオーミック接触(またはオーム性接触, Ohmic contact)である。オーミック接触とは、抵抗性の接触のことで、電流の方向と電圧の大きさによらず、抵抗値が一定の場合を言う。

オーミック接触とショットキー障壁はどちらもショットキー障壁高さに依存する。 ショットキー障壁高さは、電子が半導体から金属へ移動するために必要な余分のエネルギーのしきい値を決める。

障壁の大きさは金属の種類によって異なり、また、半導体の種類や不純物の型、濃度によっても異なる。材料の種類や格子の状態により、ショットキー障壁ではなく、単なる通常の金属的な抵抗を持つ導通状態(オーミック接合。

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四隅がオーミック電極であり、中央に様々なサイ ズのショットキー電極を配置している。 ダイヤモンド・ショットキー・ダイオードは通常図4 (A)のような整流動作を行う。しかし動作電流を大きくす るため電極サイズを百μm以上に大きくすると、従来の高

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オーミック電極形成のために,はんだ接合可能で,低 接触抵抗率を可能にする新規積層電極について検討し た。実験は,まず,高融点金属と希土類金属の接触抵 抗率を測定し,n-Siに対するショットキー障壁高さと の関係を再確認した。

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ショットキー接触といい、これを整流素子として利用するときはショットキーダイオード してだけではなく、半導体の電極の特性を理解するためにも重要な章となる。 接触(オーミック接触)となる。

シリコン(半導体)と金属(電極)との接触(接合)には,オーミック接触とショットキー接触の2つの分類がある。 オーミック接触は,シリコンと金属との間に電気的な壁(障壁)が存在せず,シリコンの抵抗に比べて十分に無視できる程の小さな接触

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ショットキー障壁を生じ,強靭でかつ低抵抗なオー ミックコンタクトの形成が困難である.本稿では, 我々が開発した界面反応制御法によるp型SiCおよ びn型GaNに対するオーミック電極形成技術につ いて個々に紹介する. 2.p型SiCに対するオーミック電極

オーミック電極としての理想は、接触抵抗が低いことです。 しかし、実際に配線に利用したい金属であるアルミや銅、場合によると金と言うのは半導体との間の障壁の高さが存在し、ショットキー接触となるかオーミック電極となっても接触抵抗が高かったりするわけです。

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2. p型InPに対するオーミック・コンタクト材の開発 2-1 オーミック・コンタクト材とは 半導体デバ イスは半導体内部の電子やホールの物理的・電気的な挙動 を活用しており、デバイスを動作させるための

シリコン太陽電池の電極はオーミック接触ですか?ショットキー接触ですか? 電極材料には主として銀とアルミが用いられますが、金属-半導体の接合の理論を単純に考えれば両方の電極はショットキー接触になっているよ

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【課題】理想的な特性に近いショットキー電極を製造する方法を提供する。 【解決手段】GaAs基板101にリセス107を形成するためのエッチングを行う際に、このリセス107の表面に、水酸基を多く含むGa酸化膜108が形成される。

(57)【要約】 【目的】 高速半導体装置等に不可欠な低抵抗なオーミ ック電極を形成する。 【構成】 電界効果トランジスタのオーミック電極のソ ース電極18とドレイン電極19としてモリブデン、チ タン、白金、金を順に形成する。キャップ層17の上に 高融点金属のモリブデンを形成することに

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気信号をやりとりしたり,半 導体との接合でオーミックまた. はショットキー特性を得るために,金 属電極は重要な役割を 果たす.金 属電極およびその形成技術は,半 導体材料の特性 を引き出し,かつ電子デバイスの特性を向上させる重要な鍵

(57)【要約】 【課題】順方向のオン電圧が小さく、逆漏れ電流の小さ いSiCショットキーダイオードおよびその製造方法を 提供する。 【解決手段】ショットキー電極とオーミック電極のう ちの少なくとも一方を、SiC側からTi/Ni/Au なる三層構造とする。

従って、同じ半導体材料でも、電極の金属の種類やドーピングレベルをかえる事によりオーミックからショットキーになる場合があります。 ショットキー状態では、電流電圧特性は非線形かつ整流特性を示

アノード電極側高濃度半導体層105の表面およびカソード電極側高濃度半導体層110の表面、並びにオーミック電極側高濃度半導体層102の表面にそれぞれオーミック電極111,112,113を形成するとともに、ショットキー電極側低濃度半導体層103の表面にショット

オーミック電極とショットキー電極とを同時に有しながら容易に製造できるGaN系半導体素子を提供することであり、また、その製造方法を提供すること。 – GaN系半導体素子およびその製造方法 – 特開2000−208813 – 特許情報

【解決手段】 ショットキー電極とオーミック電極のうちの少なくとも一方を、SiC側からTi/Ni/Auなる三層構造とする。 燐等のイオン注入により高不純物濃度層を形成し、その表面にオーミック電極を設

第2の半導体層4の上には、ショットキー電極6とオーミック電極7とが間隔をおいて形成されている。 例文帳に追加. On the second semiconductor layer 4, a Schottky electrode 6 and an ohmic electrode 7 are formed, with a space separating them. – 特許庁

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そのために、オー ミックかショットキーになるかは、仕事関数と電子親和力の関係だけでは決まら ない場合が多い。 オーミック接触は、個体表面に金属電極を付けて電気的測定をするときには必ず

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オーミック金属シート抵抗とコンタクト抵抗を観察 合金化において雰囲気が重要な役割 アニール雰囲気の比較 窒素雰囲気、真空アニール(約10Pa) 電極幅3、6、9、12、15μm 電極長400μm 電極幅 金属シート抵抗測定パターン 100μm センス端子 電極長 W L R Rs = I Vs

【特許請求の範囲】 【請求項1】 半導体SiCの表面にショットキーバリアを生ずるショツトキー電極と、オーミック電極とが設けられたSiCショットキーダイオードの製造方法において、ショットキー電極を形成する前にSiC表面を水素終端処理し、熱処理後直ちにショットキー電極を形成することを

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B の高さによって決まり、仕事関数の大小からショットキーコ ンタクト(Schottky Contact )、またはオーミックコンタクト(Ohmic Contact ) のいずれかになる。半導体がp 型の場合のバンドダイヤグラムを図1-1 及び図 1-2 に示す。ここで、φ m は金属の仕事関数、φ

物理学 – FETの電極 尚、AlとSiを接触させただけでは、仕事関数の差によりショットキー接合となりますが、逆にオーミック接合としたいときは、熱処理によりAlを拡散させ合金化して、ショットキー障壁を崩します。

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平成22 年度修士論文. GaN 自立基板を用いた. ショットキーダイオードの研究. 修士論文. 徳島大学大学院 先端技術科学教育部 システム創生工学専攻

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従来のオーミックコンタクト電極の課題 4 L. Wang, APL, 95, 172107 (2009) TiNの形成 電子の エネルギー 分布 IBn AlGaN E f 電子 低融点のAlを用いず、窒素欠損を形成できるコンタクト電極材料が必要

dlts法の詳細説明│セラミックフォーラムは、sicやganなど次世代半導体として期待されるワイドギャップ半導体、およびガラス溶解技術に関する製品や技術を提供する技術開発商社です。最新の技術と製品を組み合わせたトータルコーディネートで、お客様の研究・開発に貢献します。

株式会社アクロラドは、CdTe(テルル化カドミウム)を用いた半導体検出器、放射線検出器、X線画像検出器の開発・製造に特化したメーカーです。CdTe素子の製造から、レントゲン装置や電子部品検査装置など基板への実装まで、多様なニーズにお応えしています。

株式会社アクロラドは、CdTe(テルル化カドミウム)を用いた半導体検出器、放射線検出器、X線画像検出器の開発・製造に特化したメーカーです。CdTe素子の製造から、レントゲン装置や電子部品検査装置など基板への実装まで、多様なニーズにお応えしています。

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好なショットキー特性と、太陽電池特性が得られた 透明導電性高分子とGaN の接合による太陽電池の 電流-電圧特性 ポリアニリン膜 透明ショットキー電極 (1 ~ 2 mm角) サファイア基板 オーミック電極 透明導電性高分子(ポリアニリン)とGaNの接合

ショットキー電極 半導体と金属電極を接合させると、半導体から金属またはその逆のどちらか一方向に電子が流れやすくなる。この金属電極をショットキー電極というが、ここに電圧をかけることによって電流の向きを変えられる。

Gaを用いたMESFETに代表される電子デバイス作製に向けて,その基本となるオーミック電極とショットキー電極を作製評価した.フォトリングラフィー法により電極パターンを形成しオーミック電極とし

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分に抑えられるように設定されている。オーミック電極は 裏面のカソード側のNiシリサイド層によって形成してい る。その後,ショットキー電極を形成し,シリサイド層形 成温度以下でのアニール処理によってショットキー障壁高 さを安定化している。

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性が観測されているのに対して、Au を用いた場合はオーミック接触になっている様子がわかる。 酸化物の中でも特にZnO は通常の金属電極(Au やPt、Pd など)を用いてショットキー接触を得

この由来から金属と半導体との間に出来る障壁のことをショットキー障壁という。一方、この障壁が無視できる場合もありその場合はオーミック接触と呼ばれる。コンタクトを基板に取る際にはオーミック接触を作ることが求められる。

【発明の名称】放射線検出素子および放射線検出素子の製造方法 【出願人】JX日鉱日石金属株式会社 【課題】基板の一方の主面に、基板とショットキー接合する第1電極が形成され、他方の主面に、基板とオーミック接合する第2電極が形成された放射線検出素子のエネルギー分解能を向上させる。

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ス電極の中心間の距離)を微細化するよう工夫し ている.セルピッチは15μmである.ドレイン 電極となる裏面オーミック電極にはSBDと同様 にAl/Tiを用いている.ゲート絶縁膜はSiO2で あり,トレンチ内部の被覆性に優れたALD法を

株式会社アクロラドは、CdTe(テルル化カドミウム)を用いた半導体検出器、放射線検出器、X線画像検出器の開発・製造に特化したメーカーです。CdTe素子の製造から、レントゲン装置や電子部品検査装置など基板への実装まで、多様なニーズにお応えしています。

間の抜けた質問のようで申し訳ないのですが、オーミック接触ってどんな時に重要なのでしょうか?整流性の無い金属-半導体接触だというのは分かったのですがそれ以上のことを書いてあるサイトが見つけられませんでした。どうか詳しい方、

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今回使用したショットキー型ダイヤモンドダイオードは、ダイヤモンド半導体とRuショットキ ー電極を組み合わせて作製した(図1右)。このダイオードは、ダイヤモンドやRu電極の特性か ら、高温動作、冷却不要、大電流密度動作などを可能とする。

オーミック性接触電極やショットキー電極を調べた後は、ダイオードならショットキーバリアダイオード(sbd)、電界効果トランジスタならmesfetがお勧めです。 ソースとドレインにオーミック性電極、ゲートにショットキー電極をつけ、図1にように、漏れ

Electrical contact characteristics of n-type diamond with Ti, Ni, NiSi 2, and Ni 3 P electrodes 杉井・岩井研究室 12M36240 武正 敦 1

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で電極金属堆積後の加熱処理を一切行わずに n型4H-SiC と金属との間にオーミックコンタク トが形成される新しい手法を見出している。本 研究ではそのシリコンキャップアニールがSiC 表面に及ぼす影響を結晶状態や電気特性の解

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電極金属とSiの接触界面には,ショットキー障壁と呼ばれ るエネルギー障壁が生じる。Si中の電流の担い手(キャリア) である電子あるいは正孔の一部は接触界面を通過する際にこ のショットキー障壁によってはね返されてしまい,キャリアの流

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5.2 半導体と金属との接合 . 5.2.1 仕事関数と電子親和力(p.141) 仕事関数:φm. φm= ~ 電子1個を真空中に取り出すのに必要なエネルギー

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SiCパワーデバイスのためのオーミックコンタクト形成技術 では伝導帯あるいは価電子帯と電極の伝導体との間のバン ド・オフセットが大きくなるため,コンタクト抵抗の起源と なるショットキー障壁を軽減することは原理的に難しく,n

技術移転可能な特許!ライセンス先を探索中!大学、公的研究機関の有望特許を公開中!【課題】窒化物半導体のHEMT素子のリセス構造によって、ノーマリオフ化を実現した場合に生じるソース電極およびドレイン電極でのオーミック特性を改善する【解決手段】基板上に少なくともチャネル層

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1-XO/ZnOショットキーダイオードの構造 素子断面図 Pt 100 nm 半透明 ショットキー電極 n-ZnO単結晶 ボンディングパッド MgXZn1-XO 薄膜 オーミック電極 反射防止膜 紫外線 MgXZn1-XO n-ZnO 300nm n-ZnO n-ZnO SiO 2 43 nm 半透明Pt電極 3nm

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3.有機半導体と電極の接合 上記のように,素子の特性を予測・設計するためには, 金属電極の仕事関数と有機半導体の伝導帯・価電子帯との 関係を知ることが最も重要である.しかしながら,予測で はオーミック接触となるような組み合わせでも,大きな注

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ショットキー電極にはAlを用いた。裏面にはInSnを 用いオーミック電極を形成した。図5にこの試料の電流電圧特性を示す。 ショットee ・一接触の整流特性は,金属からの熱電子放出の理論の適用によって求

まず、ハイドープc 60 界面では、エネルギーバリアー(ショットキー障壁)があることを確認しました。本来このバリアーがあると、オーミック接合にならず、電子の取り出しはうまくいきません。

微細パターンが可能なリソグラフィ、蒸着、合金炉などを操作し、動作層のエピタキシャル層を積層したシリコンに、オーミック電極、ショットキー電極を形成し、電気特性を測定します。

ショットキー電極内にオーミック接触領域を設けることにより、ショットキーバリア半導体装置の順方向電流電圧特性を改善する。 構成 半導体基板2の下面全体にオーミック電極3を設ける。

オーミック電極の形成方法 は、AuGe/Ni/Au層からなるオーミック電極用金属層5は、化合物半導体層1とショットキー接合となっており、電流-電圧特性はオーミックでなく、整流特性を示す。

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試料を洗浄した後に、エピ膜の上にオーミック電極と してAl、ショットキー電極(φ1mm)としてNiを蒸着 アレニウスプロットで算出した各ピー クの活性化エネルギーと温度無限大 での捕獲断面積を他のグループの報 告値と比較、本研究で見積った値は

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オーミックコンタクトになっていることが確認された。図3に コンタクト層のキャリア濃度と接触抵抗の関係を示す。コンタ クト抵抗はキャリア濃度2×1019 cm-3で1×10-6Ω・cm2と低 い値が得られた。ゲートソース間のショットキー特性を調べる

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Ni ショットキー電極(200 m )を形成し た。オーミック電極には、InGaを用いた。 3.結果と考察: 図2 にN 極性p-GaN の 順方向I-V 特性を示す。-0.1 V から-0.2 V までの領域で指数関数的に電流が増加し ており、I-V 特性に良好な直線性が得ら れた。

特許請求の範囲 【請求項1】iii -V族化合物半導体上に形成されたショットキー電極またはオーミック電極において、半導体と接触する金属または金属珪化物に少なくともバナジウムが含まれることを特徴とする電極

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して、本研究室の実験装置におけるオーミック電極作製条件を最適化し、4.73×10−7[Ω∙cm2] の極めて低いコンタクト抵抗が得られた。作製したGaNショットキーダイオードが、立ち上が り電圧が1.1Vであり、6桁の整流比が得られ、整流特性が確認できた。